2020年9月15日

三菱电机株式会社

为变流器的高效化、小型轻量化做出贡献

开始发售第2代工业用全SiC功率模块

三菱电机株式会社将从2020年10月开始依次发售9款搭载新开发SiC芯片的“第2代工业用全SiC功率模块”。

利用SiC-MOSFET^※1和SiC-SBD^※2的低损耗和高频运行特性，为各种工业设备的高效化、小型轻量化做出贡献。

※1    Silicon Carbide: 碳化硅
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 金属氧化物半导体场效应晶体管

※2    Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管 

新产品的特点

1．利用低损耗和高频运行特性，为设备的高效化、小型轻量化做出贡献

・通过采用JFET掺杂技术^※3新开发的SiC-MOSFET芯片，与现有品相比^※4降低了约15%的通态电阻。此外，通过降低米勒电容^※5，实现高速开关，有助于降低开关损耗；

・与现有的本公司Si-IGBT模块相比，采用SiC-MOSFET和SiC-SBD，减少了约70%的功率损耗；

・通过降低功耗及高频运行，为散热器和电感等周边元件的小型轻量化做出贡献

※3    JFET(Junction Field Effect Transistor)，结型场效应晶体管

※4   与本公司相同额定电流的第一代SiC对比

※5   MOSFET栅极和漏极之间的寄生电容(Crss)

2．内置RTC电路，实现短路耐量和低通态电阻兼顾

・搭载可以限制短路电流的RTC(Real Time Control)电路^※6，保证足够短路时间耐量的同时，实现低通态电阻特性；

・短路发生时，模块内部保护电路会动作，抑制短路电流；

※6   “FMF400BX-24B”“FMF800DX-24B”除外

3．通过优化内部芯片排布，使散热均匀

・优化模块内部SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片的分布，使散热均匀。使散热器的小型化、甚至无风扇冷却成为可能；