性能特点
采用第5代IGBT硅片(CSTBT
TM)实现低损耗
低饱和压降:在结温125℃时的饱和压降仅为1.5V
超低噪声:软恢复续流二极管(FWD);新的控制电路改善EMC和EMI性能
耐功率循环能力强(High Power Cycle)
主端子有针脚型和螺丝型两种形式
全新封装:比第4代S-DASH系列体积缩小32%
电流等级:50A,75A
电压等级:600V
内部功能框图(举例)
产品尺寸

封装尺寸:133mm×66.75mm 120mm×55mm
应用领域
太阳能发电性相关产品
PV-IPM选择表
| VCES(V) |
|
Ic(A) |
| 电路拓扑 |
50 |
75 |
| 600 |
4单元 |
PM50B4LA060 (114KB) |
PM75B4LA060 (114KB) |
| H桥 |
PM50B4LB060 (112KB) |
PM75B4LB060 (111KB) |
| 5单元 |
PM50B5LA060 (137KB) |
PM75B5LA060 (137KB) |
| H桥 + 斩波×1 |
PM50B5LB060 (134KB) |
PM75B5LB060 (134KB) |
| 6单元 |
PM50B6LA060 (140KB) |
PM75B6LA060 (140KB) |
| H桥 + 斩波×2 |
PM50B6LB060 (138KB) |
PM75B6LB060 (138KB) |