性能特点

替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM
采用全栅型CSTBT^TM硅片具有低损耗
    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
优化片上温度传感器
新的结线技术显著改善功率循环
兼容现有V系列小封装
SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选）
V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20%
    （PM300DV1A120与PM300DVA120相比较）

内部框图

应用领域

高端通用变频器、伺服电机驱动器等

封装尺寸

120mm×70mm

IPM (V1 series)

VCES (V)	结构	Ic(A)
		200	300	400	450	600
600	2单元			PM400DV1A060 (411KB)		PM600DV1A060 (410KB)
1200	2单元	PM200DV1A120 (410KB)	PM300DV1A120 (410KB)		PM450DV1A120 (412KB)