产品信息
V1系列IPM
V1系列IPM

性能特点

替代第3代DSA系列,V系列和HSA系列IPM
采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗
    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
优化片上温度传感器
新的结线技术显著改善功率循环
兼容现有V系列小封装
SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用(可选)
V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比,降低约20%
    (PM300DV1A120与PM300DVA120相比较)

内部框图

电路拓扑

应用领域

高端通用变频器、伺服电机驱动器等

封装尺寸

120mm×70mm

IPM (V1 series)

VCES (V) 结构 Ic(A)
200 300 400 450 600 800
600 2单元     PM400DV1A060 (413KB)   PM600DV1A060 (413KB) PM800DV1B060 (467KB)
1200 2单元 PM200DV1A120 (412KB) PM300DV1A120 (412KB)   PM450DV1A120 (414KB)