性能特点
采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗IGBT硅片正中央处集成温度传感器,过温保护更精确(145℃)
新的结线技术使功率循环能力得到显著提高
主端子有针脚型和螺丝型两种形式
与第5代L系列IPM兼容
新增S型七合一封装(90mm 50mm)
完全无铅焊接(对应RoHS指令)
应用领域
高性能变频传动装置,如矢量控制变频器、伺服驱动器等封装尺寸
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| S 型 90mm×50mm |
A 型 133mm×66.75mm |
B 型 120mm×55mm |
C 型 135mm×110mm |







