性能特点
采用低损耗CSTBTTM硅片技术LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用
额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc
高功率循环能力
应用领域
通用变频器,伺服驱动器,UPS,特种电源等封装尺寸
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| 94mm × 48mm | 108mm × 62mm | 110mm × 80mm | 140mm × 130mm |

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| 94mm × 48mm | 108mm × 62mm | 110mm × 80mm | 140mm × 130mm |