产品信息
第5代A系列IGBT模块
第5代A系列IGBT模块

性能特点

采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善

应用领域

适合中、低端变频器产品设计

封装尺寸

94mm × 48mm 108mm × 62mm	110mm × 80mm 140mm × 130mm
94mm × 48mm 108mm × 62mm 110mm × 80mm 140mm × 130mm

IGBT Modules (A series)

电路拓扑 VCES(V) Ic(A)
75 100 150 200 300 400 500 600
2单元 1200   CM100DY
-24A
(97KB)
CM150DY
-24A
(98KB)
CM200DY
-24A
(97KB)
CM300DY
-24A
(100KB)
CM400DY
-24A
(98KB)
  CM600DY
-24A
(99KB)
1700 CM75DY
-34A

(438KB)
CM100DY
-34A

(438KB)
CM150DY
-34A

(503KB)
CM200DY
-34A

(509KB)
CM300DY
-34A

(502KB)
CM400DY
-34A

(526KB)
   
1单元 1200           CM400HA
-24A

(471KB)
  CM600HA
-24A

(479KB)
CM600HB
-24A
1700             CM500HA
-34A

(306KB)