性能特点
H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积
N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容
续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能
基板：有Cu和AlSiC两种
额定电压：从1700V到6500V
额定电流：从200A到2400A
绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms
应用领域
牵引和大功率变频传动电力传输
DC斩波器装置
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HVIGBT Modules
| VCES(V) | 产品 代数 (基板 材料) |
电路拓扑 | Ic(A) | ||||||||||
| 200 | 400 | 600 | 800 | 900 | 1000 | 1200 | 1500 | 1600 | 1800 | 2400 | |||
| 1700 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -34H  (60KB) |
CM1200HA -34H (48KB) |
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| 2 单 元 |
CM600DY -34H (49KB) |
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| 斩波单元 | CM600E2Y -34H (49KB) |
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| G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HC -34H (63KB) |
CM1600HC -34H (63KB) |
CM1800HC -34H (65KB) |
CM2400HC -34H (65KB) |
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| 2 单 元 |
CM800DZ -34H (61KB) |
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| G4 (Cu) |
2 单 元 |
CM800DZB -34N (91KB) |
CM1200DB -34N (59KB) |
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| G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HCB -34N (94KB) |
CM1800HC -34N (57KB) |
CM2400HC -34N (58KB) |
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| CM1800HCB -34N (92KB) |
CM2400HCB -34N (95KB) |
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| 2 单 元 |
CM1200DC -34N (59KB) |
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| 斩波单元 | CM1200E4C -34N (58KB) |
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| 2500 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -50H |
CM1200HA -50H (45KB) |
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| 2 单 元 |
CM400DY -50H (47KB) |
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| G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HB -50H (47KB) |
CM1200HB -50H (51KB) |
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| G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM1200HC -50H (68KB) |
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| 3300 | G1 (Cu) |
1 单 元 |
CM800HA -66H (43KB) |
CM1200HA -66H (45KB) |
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| 2 单 元 |
CM400DY -66H (45KB) |
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| 斩波单元 | CM800E2Z -66H (51KB) |
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| G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM800 HB -66H (47KB) |
CM1200HB -66H (51KB) |
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| G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM800HC -66H (65KB) |
CM1200HC -66H (68KB) |
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| 斩波单元 | CM800E2C -66H (51KB) |
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| CM800E4C -66H |
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| CM800E6C -66H (67KB) |
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| G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM400HG -66H (60KB) |
CM800HG -66H |
CM1000E4C-66R (110KB) |
CM1200HG -66H (65KB) |
CM1500HC-66R (111KB) |
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| 4500 | G2 (Cu) |
1 单 元 |
CM400HB -90H (58KB) |
CM600HB -90H (60KB) |
CM900HB -90H (64KB) |
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| G3 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM900HC -90H (86KB) |
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| G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM600HG -90H |
CM900HG -90H |
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| 6500 | G4 (AlSiC) |
1 单 元 |
CM200HG -130H (100KB) |
CM400HG -130H |
CM600HG -130H (106KB) |
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| 斩波单元 | CM400E2G -130H |
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| CM400E4G -130H |
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