产品信息
SICSBD

适用于各种用途的SiC-SBD

应用 产品名称 型号 额定值 封装
电压[V] 电流[A]
家电
工业
SiC-SBD BD20060T 600 20 TO-220-2L
BD20060S★★ TO-247-3L
BD20060A★★ TO-263S-3L
BD10120S★★ 1200 10 TO-247-3L
BD20120S★★ 20
汽车 BD20120SJ★★

★★ Under development

有着优异特性的碳化硅

借助JBS结构,实现高度可靠

借助JBS结构,实现高度可靠

通过采用将pn结和肖特基结合为一体的JBS结构,实现了高耐浪涌能力。低损耗、高度可靠的SBD有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。

JBS : Junction Barrier Shottky


高温操作

高温操作

在温度升高时,电子会向导带转移,漏电流增加,导致无法正常运行。 碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍,即使在高温时漏电流的增加也很小,可以确保高温下运行。


高速的开关操作

高速的开关操作

碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时,也容易实现耐高压,所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二极管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD没有载流子积累,最终帮助实现高速的开关动作。


优异的散热效果

优异的散热效果

碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍,有效提高了散热能力。


主要用途

空调、光伏发电、充电基础设施、车载充电器等的电源系统

特点

  • 与已有产品相比,功率损耗约减少21%*
  • 通过减少功率损耗和高频动作,电抗器和散热板等部件能够做到小型化
  • 采用JBS结构,电涌耐量高,有利于实现高度的可靠性



  • *与本公司配置Si二极管的功率率半导体模块DIPPFC™产品相比


    内部模块图

    内部模块图

    功率损耗比较*

    功率损耗比较
    *与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC™的Si二极管产品相比