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三菱电机推出L波段～C波段放大器用“GaN HEMT” [2010/7/22]

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2010年7月22日
三菱电机株式会社
 
 

小型封装40W大功率
L波段～C波段放大器用“GaN HEMT”发售
 
 
三菱电机今天宣布研发成功三款输出功率为10W、20W和40W的GaN HEMT模块。这三类模块支持L波段到C波段的放大器应用，可以应用于手机基站以及卫星通信地面站等设备中。样品从2010年8月开始提供。※1：L波段：0.5GHz～2GHz、S波段：2 GHz～4GHz、C波段：在4 GHz～8GHz以内，到6GHz为止
※2：Gallium Nitride　氮化镓
※3：High Electron Mobility Transistor　高电子迁移率晶体管
 
 
MGF0846G
 
新产品的特点
 
１．大功率、高效率、高电压工作的GaN HEMT
・推出输出功率分别为10W、20W、40W，可用于从0.5GHz至6GHz的产品，以扩充产品阵容
・高效率，实现46%以上的功率附加效率
・可在47V的高电压下工作
 
２．4.4 mm×14.0 mm的小型封装
・4.4 mm×14.0 mm的小型封装可减少装配面积
 
销售概要
 
产品名
型号
概要
样品出货日期
输出功率
功率附加效率
GaN HEMT
 
MGF0846G
46dBm(40W)
46%
8月1日
MGF0843G
43dBm(20W)
48%
MGF0840G
40dBm(10W)
50%
 


 销售目标
通信器材的发射部分以往使用的是GaAs（砷化镓）功率放大器。近年来，比GaAs具更高饱和电子速度与更高击穿电压的GaN HEMT也备受关注。GaN HEMT的特点是功率附加效率佳，有助于发射机的小型化、轻量化、节电及延长其使用寿命。本公司从2010年3月开始，业已推出可用于卫星搭载的C波段GaN HEMT样品。
本次，针对用于手机基站及卫星通信地球站等的射频功率放大器，将推出3款输出功率分别为10W、20W、40W 的GaN HEMT样品。
 
 
 主要规格
 

型号
MGF0846G
MGF0843G
MGF0840G
工作条件
VDS※4
47V
47V
47V
IDQ※5
340mA
170mA
90mA
频率
0.5GHz～6GHz（L波段/ S波段/ C波段）
3dB增益
压缩点功率
P3dB
(标准值)
40W
20W
10W
线性增益
Glｐ※6
(标准值)
12dB
13dB
14dB
功率附加效率
PAE※7
(标准值)
46％
48％
50％

※4：Drain to Source Voltage　漏极电压
※5：Quiescent Drain Current　静态漏电流
※6：Linear Gain（测试频率 f=2.6GHz）
※7：Power Added Efficiency（测试频率f=2.6GHz 、@P3dB）
 
 制作工厂
三菱电机株式会社　高频光器件制作所
〒664-8641 兵库县伊丹市瑞原4丁目1番地
 
 销售公司
三菱电机机电（上海）有限公司
上海市长宁区兴义路8号上海万都中心29楼
邮编：200336
TEL +86-21-5208-2030　FAX +86-21-5208-1502
 
三菱电机（香港）有限公司
香港北角电气道169号宏利保险中心10字楼
TEL +852-2210-0555　FAX +852-2510-9803

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