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三菱电机开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」 [2019/3/27]

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2019327

三菱电机株式会社

 

降低源系的耗量、小其体做出

开始功率半1200V SiC-SBD

 

  近日,三菱电机株式会社发布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二极管),该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于20196月提供样品,20201月开始发售。本品将在TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(417日~19日于日本幕张举), “PCIM Europe2019579日于德国纽伦行), “PCIM1 Asia201962628日于中人民共和国上海行)上展出

1 Silicon Carbide:碳化硅

2 Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极

 

新产品的特点

1采用SiC有利于降低系统损耗和体积

使用SiC大幅降低开关耗,降低21%的3

实现高速开关,有利于缩抗器等配套零部件的体

3 与内置PFC路的三菱品功率半体模DIPPFCTM上搭Si(硅)二极管相比

 

2采用JBS构,提高可靠性

采用pn与肖特基合的JBS4

JBS构提高浪涌流耐量,从而提高可靠

4 Junction Barrier Schottky

 

35产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

除了通常的TO-247封装外,还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装

除民用品外还可对应工业等各种各样的用途

产品阵容中还包括符合AEC-Q1015的产品(BD20120SJ),也可对应车载用途

5 Automotive Electronics Council:车载电子零部件质量规格

 

发售概要

 

 

销售目标

    近年来,出于保的考,人们对大幅降低耗或利用SiC实现高速开关的功率半体的期待逐。三菱机自2010年起陆续推出了搭SiC-SBDSiC-MOSFET6SiC功率半体模,广泛用于空以及工机械、车辆的逆器系等,降低家及工机械的耗量,小其体和重量做出了

  一背景下,此次将售采用了SiC的功率半体“SiC-SBD”源系中应用SiC-SBD”,将降低客的系量,小体做出

  品的开得到了日本New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

 

 

主要规格 

 

    ※7 8.3msec, sine wave

 

 

SiC-SBD系列的产品阵容

  

粗框内为本次的新产品