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技术点亮未来,三菱电机半导体争做行业优等生! [2018/4/27]

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4月26日,劳动节前夕,大中国区三菱电机半导体来到深圳君悦酒店,向电力电子行业内的各位专家及精英朋友们提交了一份技术成果汇报单——“2018三菱电机功率模块技术研讨会”。技术控的你,对这份成绩单是否满意呢?
 
 
志存高远 紧跟电力电子“学术之源”
作为三菱电机校企合作的老朋友,刚刚从46届日内瓦国际发明展览大会获奖归来的清华大学赵争鸣教授率先登场,向来宾发表了“功率半导体器件多时间尺度瞬态建模及仿真”的专题报告。赵教授以此次日内瓦获奖之行的所见趣闻作为切入,在分享完国际前瞻技术后,更号召大家用系统、发展的眼光看问题。他提到,电力电子科学领域,做应用及装置所面临三大技术难题的共性便是瞬态问题。而半导体又是电力电子的主力军,唯有关注功率半导体的开关特性这一核心问题,同时建立瞬态模型,才能更好地反映关键参数。

 

 

去粗取精 追求功率器件“至善之美”
近年来,为顺应“中国制造2025”的大政方针,三菱电机致力于降低产品损耗、提升产品性能与可靠性的产品目标,至今已成功将第七代IGBT模块推向市场。
研讨会上,三菱电机半导体大中国区技术总监宋高升先生向现场与会者介绍道,在过去一年,三菱电机功率半导体产品线在家用、工业、汽车、牵引四大领域都有核心技术突破。在变频家电领域,三菱电机成功发布面向变频冰箱和风机驱动的SLIMDIP-S以及面向变频空调和洗衣机的SLIMDIP-L智能功率模块,最近又成功发布表面贴装型IPM,这些产品将有助于推动变频家电实现小型化;在工业应用方面,成功发布第七代IGBT和第七代IPM模块,首次采用SLC封装技术,使得模块寿命大幅延长;成功发布面向汽车应用的J1系列Pin-fin模块,其中i-DBS结构采用了叠层母排的布局实现了封装小、内部杂散电感低的特性;面向牵引应用的X系列HVIGBT,安全工作区裕度大、电流密度增加、抗湿度鲁棒性增强,有助于进一步提高牵引变流器现场运行的可靠性。
未来,三菱电机仍将在以上四大领域不断推出新产品、新技术,努力在电动汽车和铁道牵引两大交通领域实现新突破。
 
 
厚积薄发 点燃创新科技“燎原之势”
SiC和GaN为代表的第三代半导体材料凭借其优异性能,突破电能转换消耗瓶颈并迅速崛起。三菱电机的第三代半导体产业起步较早,早在2013年日本政府将第三代半导体纳入“首相战略”,以日本著名学府大阪大学牵头,协同三菱电机、罗姆等知名企业,形成产学研中心,共同开发适应SiC和GaN等第三代半导体的先进封装技术。

 

本次研讨会上,三菱电机半导体大中国区高级应用工程师胡博先生详细讲述其SiC功率模块以及混合SiC功率模块的性能与应用。与传统的硅IGBT模块相比,全SiC功率模块大幅提高功率变换组件效率,减小组件体积及减轻组件重量。SiC产品可广泛应用于太阳逆变器、医疗设备电源、电梯、马达驱动等。
创新是突破瓶颈、实现蜕变健康成长的不二法门。为了满足功率器件市场对噪声低、效率高、尺寸小和重量轻的要求,三菱电机正在加紧研发新一代沟槽栅SiC MOSFET芯片技术,该技术将进一步改善短路耐量和导通电阻的关系,并计划在2020年实现新型SiC MOSFET模块的商业化。
 
在功率芯片和功率模块研发与制造方面,三菱电机凭借60多年的技术沉淀与经验积累,持续性和创造性地研究与开发深耕的行业,成就了三菱电机在半导体领域中的“优等生”地位。在未来的日子里,三菱电机还将继续以“优等生”姿态,力争为业界带来一定的模范作用,以期为社会贡献更多更好的产品和服务,助力中国制造向更深层次迈进。