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现代科技mix古城新貌,2017三菱电机功率模块技术研讨会圆满落幕 [2017/10/20]

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时光荏苒,白驹过隙。今年4月在上海和深圳举办功率模块技术研讨会的情景还历历在目,眨眼金秋十月,三菱电机便再次出击。10月17日-19日,三菱电机功率模块技术研讨会2.0版不再放眼一线城市,而是坐标西安和株洲,以期用先进技艺与古城新貌碰撞出智慧的火花。
在清华大学电机系教授赵争鸣老师的精彩演讲中,研讨会专题内容正式开始。
赵教授首先分享了来自ECCE2017国际学术会议的最新信息,并简要介绍了目前国际电力电子技术领域最热门的三个研究方向——宽禁带功率器件(SiC & GaN)、无线电能传输(WPT)和固态变压器(SST)/双向有源桥(DAB)。接着,围绕“电力电子系统电磁瞬态过程”的演讲主题,赵教授介绍到,作为现代电气科学技术和工程应用的主要基础性支撑技术之一,电力电子技术目前面临着三大挑战:提升电能变换能力、程式化设计和精细分析以及装备和系统的可靠性。其中,针对电力电子系统的可靠性探讨,还要从其核心问题——开关特性入手。而针对开关特性的处理,唯有建立不同时间尺度的瞬态模型才能对其进行清楚的表达。最后,赵教授明确表示,基于离散状态事件驱动(DSED)仿真方法,有望实现对变流器系统更准确的仿真,而相应的仿真软件包将在不久以后于云端上向客户开放,免费使用。
 

 
此次的株洲场更是特别邀请到三菱电机半导体首席技术官Majumdar博士为来宾讲解“功率芯片和功率模块的技术趋势”。Majumdar博士从功率模块的开发趋势入手,阐述了三菱电机IGBT、二极管、RC-IGBT和SiC功率芯片技术以及功率模块封装技术的研发现状,并对最近上市的具有创新点的家电、工业、汽车和铁道用功率器件做了详细介绍。
      三菱电机功率器件制作所HVIGBT应用技术经理仓地和博先生则介绍了HVIGBT的模块特点、设计理念,以及拥有更大硅片有效面积的X系列HVIGBT模块新产品等。此外,三菱电机半导体大中国区的资深工程师还为大家介绍了最新的第7IGBT模块、第7IPMEV/HEV专用功率模块、DIPIPMSiC模块及其应用技术等。
 
 
会后,现场观众的求知欲仍十分高涨,针对本次研讨会介绍内容积极提问,纷纷表示不仅对三菱电机功率半导体有了更详细的认识,对功率半导体基础应用技术也有了更为深入的了解,收获颇丰。
 
 
正如三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生在开幕辞中所说的那样,今后,三菱电机还将继续努力用优质的产品和技术服务回馈用户。