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三菱电机开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块” [2017/5/11]

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2017年5月11日
三菱电机株式会社

 

实现业内最大电流密度,有助于实现逆变器的大功率·高效率
开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块

 

三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT1模块”,作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内最大电流密度2今后,计划还将使用性能超过Si(硅片)更具低损耗化与高频动作可能性的SiC3制成LV100封装产品,以充实产品阵容,有助于实现逆变器的输出功率和效率;并且采用全新封装结构,利于并联应用,实现灵活配置,并提高系统可靠性。
本产品将在 “PCIM Europe 2017”(5月16-18日于德国纽伦堡举行)以及“PCIM Asia 2017”(6月27-29日于中国上海举行)上展出。
1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor高压绝缘栅型双极晶体管
2 截至2017511,根据本公司的调查
3 Silicon Carbide碳化硅

X系列LV100封装HVIGBT模块

 

新产品的特点

 

1实现业内最大的电流密度有助于实现逆变器的大功率高效率
・采用三菱电机CSTBTTM结构的第7代IGBTRFC二极管硅片技术,作为Si模块实现了业内最大2的电流密度,高达8.57A/cm2<3.3kV/600A>
・AC输出主端子增加至3个,分散输出电流,缓解主端子的发热状况,实现在大电流工况下可靠运行。
4 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
5 Relaxed Field of Cathode Diode本公司独有二极管,提高了阴极电子迁移率
2便于并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
・通过优化端子布局,方便并联应用,有效支持各个功率段的逆变器
3通过全新封装结构,有助于实现逆变器系统的高度可靠性
・通过绝缘板与散热板的一体化设计,改善热循环寿命6与功率半导体芯片的散热性,由此实现功率循环寿命7的提高,并有助于实现高度可靠性
6 相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命
7 因相对时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命
 

 

 
发售概要

产品名
型号
额定电压
额定电流
发售日期
X系列LV100封装
HVIGBT模块
CM450DA-66X
3.3kV
450A
自9月起
陆续提供
CM600DA-66X
600A

销售目标
面向大型工业设备的功率半导体模块,主要用于铁路列车的的驱动系统、电力传输系统和大型工业机械使用的变流器。近年来,公众在节能环保等方面的意识日益增强,因此有助于逆变器实现更高功率、更高效率、更高可靠性及能支持各种逆变器的输出容量的各类产品需求强劲。
本公司此次为响应此类需求,将上市实现电流高密度化并采用全新封装结构的“X系列LV100封装HVIGBT模块”的2款新产品(3.3kV/450A・600A)。此外,预定今后还将推出使用SiC制造的LV100封装产品,以充实产品阵容。

 

主要规格

封装
型号
额定电压
额定电流
绝缘耐压
結線
封装尺寸
LV100
封装
CM450DA-66X
3.3kV
450A
6kV
rms
2in1
100×140×40mm3
CM600DA-66X
600A
标准(std)
封装
CM1200HC-66X
3.3kV
1200A
6kV
rms
1in1
140×130×38mm3
CM1800HC-66X
1800A
140×190×38mm3
CM1500HC-90XA
4.5kV
1500A
CM900HG-90X
4.5kV
900A
10kV
rms
140×130×48mm3
CM600HG-130X
6.5kV
600A
CM1800HG-66X
3.3kV
1800A
140×190×48mm3
CM1350HG-90X
4.5kV
1350A
CM900HG-130X
6.5kV
900A
CM1000HG-130XA
1000A