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三菱电机在PCIM亚洲展2015推介九款功率器件 [2015/6/12]

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三菱电机在PCIM亚洲展2015推介九款功率器件
 
三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今年以创新功率器件构建可持续未来为题,携带九款全新功率器件,于62426日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2015(展位号4A08)中隆重亮相。
 
今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域,包括:工业传动、光伏发电、变频家电、轨道牵引及电动汽车,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
                                                                       
工业及光伏发电市场
针对工业光伏逆变器市场的需要,三菱电机将展出四款新型功率模块,包括第7IGBT模块、DIPIPM+模块、4in1 T型三电平逆变器用IGBT模块及1in1三电平逆变器用IGBT模块。
 
这次展出的第7IGBT模块,特别适用于通用变频器。它采用了第7IGBT硅片和二极管硅片;具有650V1200V1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流100A1000A;采用预涂热界面材料(TIM),与传统硅脂相比,模块与散热器的接触热阻降低50%。它继承现有的统一封装(NX)和传统封装(A/NF/MPD),适应不同的结构设计需求;NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子。
图片说明:第7IGBT模块
 
整流逆变制动一体化模块DIPIPM+则完整地集成整流桥、逆变桥、制动单元以及相应的驱动保护电路。它采用第7CSTBTTM硅片;提供短路保护和欠压保护;内置自举二极管;提供LVIC温度模拟量输出功能;额定电流覆盖50A/600V5~35A/1200V。采用该款模块设计通用变频器,可以最大程度地简化布线设计,缩小基板面积,缩短开发周期;同时还可以降低布线电感及滤波器成本,使噪声设计变得简单。
图片说明:整流逆变制动一体化模块DIPIPM+
 
4in1 T型三电平逆变器用IGBT模块, 是专门为提高光伏发电效率而开发的400A模块,半桥采用第6.11200V IGBT硅片,交流开关采用第7650V IGBT硅片,损耗低、允许结温高达175℃;内部杂散电感小,正负端子之间为32nH、正零端子之间为和零负端子之间均27nH;绝缘耐压高达4000Vrms/1min;更采用了易于并联的封装结构。
图片说明:4in1 T型三电平逆变器用IGBT模块
 
1in1三电平逆变器用IGBT模块中,1200V级和1700V级均采用第6IGBT硅片,实现更低损耗,方便客户根据不同需要构建I型或者T型三电平拓扑;模块内部杂散电感小,一单元模块为8nH,两单元模块为12nH。绝缘耐压高达4000Vrms/1min,结温最高可达175℃。
图片说明:1in1三电平逆变器用IGBT模块
 
三菱电机大中国区半导体总经理四个所大亮先生称:“三菱电机承持可持续发展信念,不断研发高性能、高可靠性及小型化的功率器件,来满足电力电子市场的需要。对于功率器件市场的前景,我们抱持十分乐观的态度,随着中国政府加大力度治理环境,必将给新能源利用产业带来更大的发展空间。”
 
变频家电市场                                                                                       
对于变频家电应用,三菱电机这次特别推介两款产品,分别为SJMOS DIPIPMTM模块与专为变频冰箱及变频风机设计的SLIMDIP模块。
 
SJMOS DIPIPMTM模块采用IGBTSJMOS并联技术,达至同时优化小电流段和大电流段的损耗,封装和功能完美,兼容第6代超小型DIPIPM模块。
图片说明: SJMOS DIPIPMTM模块
 
SLIMDIP则采用第3RC-IGBT技术,集成短路保护和欠压保护,内置自举二极管(和限流电阻),同时提供LVIC温度模拟量输出版本和过温保护版本,封装面积比超小型DIPIPMTM缩小达30%
图片说明: SLIMDIP模块
 
轨道牵引及电动汽车驱动市场
PCIM 2015亚洲展上,三菱电机为轨道牵引领域带来两款新的功率模块,分别为X系列HVIGBT模块及下一代两单元HVIGBT模块,可应用于牵引变流器及直流输电变流子模块;而J1系列车用IGBT模块则适用于电动汽车驱动器。
 
X系列是最新一代HVIGBT模块,进一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等级的额定电流;使用了第7IGBTRFC Diode硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗。它同时采用LNFLR技术,实现低热阻;并有更宽的安全工作区。针对电力传输应用而开发的6500V/1000A单管HVIGBT模块已率先发布
图片说明:X系列HVIGBT模块
 
至于下一代两单元HVIGBT模块,将提供三个电压等级3.3kV/450A4.5kV/400A6.5kV/275A,均采用全新封装,实现更低的杂散电感及更易于并联,其绝缘耐压达10.4kVrms/1min
图片说明:下一代两单元HVIGBT模块
 
J1系列车用IGBT模块专为电动汽车驱动器设计,是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模块。它采用第7IGBT硅片技术及高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术,以及基于硅片的温度和电流检测技术;与传统的结构相比,热阻降低40%,安装面积减小40%。三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持,以方便客户快速应用该模块实现车用逆变器的设计。
图片说明:J1系列车用IGBT模块