三菱MOSFET模块选择表
 
 

   
模块结构
Vces(V)
Ic (A)
200A
400A
600A
六单元
75V
100V
150V
  注:红色部分表示该型号的数据和资料于2008年1月31日更新。

 
     

 
 
 

特征:
     
  在低电压范围比同类IGBT模块具有更低的损耗
  相比分立式Mosfet器件并联具有更宽的雪崩击穿范围(无需吸收回路)
  接插件实现信号连接,简化装置的安装工艺
  6单元封装,可以实现装置的小型化
     
目标应用领域:
     
  电动叉车
  高尔夫车
  低电压大电流斩波、变频电动车等
     

 
     

 
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