三菱NF系列IGBT选择表
 

 

特征:
     
  采用最新的CSTBT硅片技术
  * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
  最好的热阻性能， T(j-f)比竞争对手好一个等级
  采用传统的与H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定义
  封装全系列与H系列产品兼容
     
目标:
     
  可直接替换H系列IGBT模块
  高性能的电力变换产品设计
     




内部连接图:
两单元
六单元
七单元
实物图:
 

 

 
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