三菱A系列IGBT选择表
  
 
模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
100A
150A
200A
300A
400A
600A
一单元
1200V
.
.
.
.
两单元
1200V

模块
结构
Vces(V)
Ic (A)
75A
100A
150A
200A
300A
400A
两单元
1700V
  注：红色部分表示该型号的数据和资料于2008年1月31日更新。

 
     

 
 
 

特征:
     
  采用最新的CSTBT硅片技术
  * 低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff
* 高短路承受力（不需要RTC）
* 降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT
  采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻
  比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构
  按IEC747-15标准定义温度和热阻
     
目标:
     
  低成本设计，
适合中、低端变频器产品设计
     





内部连接图:
一单元
两单元
  
 
实物图:
   
 
     

 
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