三菱低噪声砷化镓场效应管 (Low noise GaAs FET & Low noise GaAs HEMT)
   
点击这里下载产品目录
型号
噪声系数（dB）
增益（dB）
工作频率（Hz）
漏极电压（V）
漏极电流（mA）
S-参数
2.7
9.0
12.0
3.0
10.0
2.0
10.5
12.0
3.0
10.0
3.0
8.0
12.0
3.0
10.0
1.8
10.5
12.0
3.0
10.0
2.7
9.0
12.0
3.0
10.0
2.0
10.5
12.0
3.0
10.0
0.6(Typ) 0.8(Max)
10.0(Min)11.5(Typ)
12.0
2.0
7.5
0.4(Typ) 0.5(Max)
11.0(Min)12.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
0.6(Typ) 0.8(Max)
11.0(Min)12.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
0.4(Typ) 0.5(Max)
12.0(Min)13.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
0.6(Typ) 0.8(Max)
12.0(Min)13.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
0.4(Typ) 0.5(Max)
11.0(Min)12.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
0.4(Typ) 0.5(Max)
12.0(Min)13.0(Typ)
12.0
2.0
10.0
 
首 页
> 产品信息 > 三菱微波、射频、光器件和光模块 > 三菱砷化镓晶体管 > 三菱低噪声砷化镓场效应管
三菱电机机电（上海）有限公司 版权所有 ©1997-2007